第三十三章 上门

作品:《科技尊王

    安德烈把捏在手里的纸条翻来覆去的看了又看,仿佛想知道是不是上帝在和自己开玩笑。

    此时,小林宏志、小田中村次郎以及井深大接受完其他人恭贺的时候,便才想到了要和自己这个未来的研究所核心人物见个面,打个招呼。

    对于这三人表达出的善意,安德烈现在哪有心思讨好,随便的敷衍了几句草草了事便告辞离开了。

    这个夜晚,安德烈在翻来覆去睡不着觉,就连他的妻子也遭受了池鱼之祸和他一块失眠了。

    待得第二天早晨,安德烈就匆匆的洗刷过后,连早饭也没顾得上吃,顶着双熊猫眼往姚冬的住处赶去。

    每一个热爱科学研究的专家教授都有一个致命的软肋啊,那就是对于自己所在领域的高尖端技术的抵抗力为零。

    姚冬也是利用这个因素,外加安德烈想要迫切向其他人证明自己的想法,给起写了张载有表明姚冬掌握磁控直拉技术、连续生长技术甚至悬浮区熔法,然后再留个地址。

    接下来就是坐等鱼儿上钩了。果不其然,在姚冬的弹衣炮弹一顿猛轰下,安德烈教授败退得很彻底,第二天一大早就敲响了姚冬的房门。

    姚冬正在整理一些将要用到的资料,听见声打开一看,只见安德烈教授顶着一双大大的熊猫眼,很有喜感。

    看到这情况,姚冬心中一喜。只要锄头挥的好,哪有墙角挖不倒啊。看来自己是把到安德烈的命门了。

    “早上好,安德烈教授,请允许我自我介绍一下,在下姚冬,快请进!”

    知道情况归知道,但是这时候一定要装傻充愣硬装作不知道。

    “谢谢。”说完安德烈便进了房间。

    “教授昨晚没休息好,怎么这么一副憔悴的面容就过来了?”

    这丫绝对适意的,你这不是明知顾问么。

    之后再收尾,待晶体冷却便将其取出。”

    安德烈详细的介绍了一下他制造单晶硅的流程。基本上是按照之前介绍的直拉法单晶硅制造工艺流程来的。

    “嗯。教授所叙述的基本上是没问题的,但是有几个问题不知道教授考虑到了没有。

    就是直拉法的引晶阶段的熔体高度最脯裸露坩埚壁的高度最小,在晶体生长过程直到收尾阶段,

    裸露坩埚壁的高度不断增大,这样造成生长条件不断变化包括熔体的对流、热传输、固液界面形状等,即整个晶棒从头到尾经历不同的热历史:头部受热时间最长,尾部最短,这样会造成晶体轴向、径向杂质分布不均匀。

    同时在直拉法中,氧含量及其分布是非常重要而又难于控制的参数,主要是熔体中的热对流加剧了熔融硅与石英坩锅的作用,即坩锅中的O2、B、Al等杂质易于熔体和晶体,进而造成杂质含量过高。”

    姚冬这时候也是知无不言,把传统的单晶硅直拉生产技术中容易产生的问题跟安德烈叙说了一遍。

    “那姚先生所说的磁控直拉技术便是针对这方面的改进?”

    安德烈此时哪有平时什么全能全知的教授相,完全是个小学生好不好,正一脸期待的等待着姚冬的回答。

    “不错,磁控直拉生长技术便是对传统的直拉生长技术的改进,此技术改进减少了熔体中的温度波度。

    一般直拉法中固液界面附近熔体中的温度波动达10C以上,而施加0。2T的磁场,其温度波动小于1℃。这样可明显提高晶体中杂质分布的均匀性,晶体的径向电阻分布均匀性也可以得到提富

    降低了单晶中的缺陷密度,减少了杂质的,提高了晶体的纯度。这是由于在磁场作用下,熔融硅与坩锅的作用减弱,使坩锅中的杂质较少熔体和晶体。

    将磁场强度与晶体转动、坩锅转动等工艺参数结合起来,可有效控制晶体中氧浓度的变化;由于磁粘滞性,使扩散层厚度增大,可提高杂质纵向分布均匀性;有利于提高生产率。

    采用磁控直拉技术,如用水平磁场,当生长速度为一般直拉法两倍时,仍可得到质量较高的晶体,对于大规模批量生产简直就是福音。”

    姚冬回答道。